Учебное пособие к лабораторным работам по материаловедению маи

Книги и методические указания

В этой категории 20 файлов.

2010-2019 © Все права защищены. Копирование материалов разрешается только со cсылкой на источник.

Год публикации: 2006

Библиографическая ссылка:: Сизов И.Г., Лыгденов Б.Д., Махаров Д.М., Аганаев Ю.П., Обунеев И.Б. Металловедение и термическая обработка металлов: Пособие к лабораторным работам. — Улан-Удэ: Издательство ВСГТУ, 2006. — 238 с.

Для того, чтобы оценить ресурс, необходимо авторизоваться.

Цель пособия — оказание помощи студентам при изучении дисциплины «Металловедение», а также развитие у них навыков самостоятельной работы и научного исследования. Приведены 12 лабораторных работ, вопросы для контроля и самопроверки, задачи. Теоретические сведения по работам расширены, что важно для студентов заочников, не всегда имеющих возможность пользоваться дополнительной литературой. Работы состоят из нескольких разделов: цель работы, краткие сведения из теории, задания и методические указания, порядок оформления отчета, разделы программы, которые нужно знать при выполнении и сдаче лабораторной работы. В издании отражен многолетний опыт преподавателей кафедры «Металловедение и технологии обработки материалов» Восточно-Сибирского государственного технологического университета и Алтайского государственного технического университета.

Учебное пособие к лабораторным работам по дисциплине «Цифровые вычислительные устройства и микропроцессоры приборных комплексов»

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ
(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
А.А. Егоров, В.Г. Осипов, С.Ю. Соловьёв
ПРОГРАММИРОВАНИЕ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ
СЕМЕЙСТВА AVR

Учебное пособие к лабораторным работам
по дисциплине
«Цифровые вычислительные устройства
и микропроцессоры приборных комплексов»

Утверждено
на заседании редсовета
2 сентября 2004 г.

Москва
Издательство МАИ
2005
Егоров А.А., Осипов В.Г., Соловьёв С.Ю. Программирование микроконтроллеров семейства AVR : Учебное пособие. – М.: Изд-во МАИ, 2005. – 77 с.: ил.

Рассматриваются вопросы программирования однокристальных микроконтроллеров на примере языка ассемблера микроконтроллеров семейства AVR . Изучаются этапы разработки программного обеспечения, средства отладки программ, способы адресации операндов, реализация основных алгоритмических структур (ветвлений и циклов), принципы организации подпрограмм и способы обмена данными между вызывающей программой и подпрограммой, использование системы прерываний.
Предназначено для студентов специальности «Авиационные приборы и измерительно-вычислительные комплексы».

Рецензенты: кафедра «Приборы и информационно-измерительные системы» Казанского государственного технического университета им. А.Н. Туполева (зав. кафедрой, д-р техн. наук, профессор В.М. Солдаткин); канд. техн. наук А.П. Рогалёв

© Московский авиационный институт
(государственный технический университет), 2005

Учебное пособие к лабораторным работам по материаловедению маи

У Вас остались вопросы?

Не можете определиться с стилем или цветом?

Позвоните нам!

+7 (495) 532-42-28

+7 (929) 588-35-04

+7 (967) 066-98-70

Наши специалисты всегда проконсультируют Вас по любым вопросам!

Мебель на заказ в Москве и московской области

Аксессуары для кухни

Радиусные шкафы-купе

Мы изготавливаем мебель по доступным ценам!

Компания «Мебель +» на рынке мебели с 2005 года, но мы только сейчас начинаем работать через интернет. Компания имеет ряд салонов и выставочных залов в Московской области. Все эти годы мы занимались изготовлением и продажей мебели по индивидуальным размерам, стремились наладить поставки качественной фурнитуры, повышать качество производимой мебели и оказываемых услуг.

Деятельность компании «Мебель +» направлена на удовлетворение потребностей каждого нашего покупателя, независимо от его социального статуса и финансовых возможностей. Желание угодить каждому клиенту вывело нас на новый уровень общения и предоставление качества оказываемых услуг.

Фабрика ценит время своих клиентов и готова выполнить их пожелания. На всю мебель предоставляется гарантия 1 год. Бесплатно предоставляются услуги, позволяющих сэкономить время покупателей.

1. Снятие замеров. Это позволяет избежать несовпадения размера гарнитура и комнаты.

2. Консультация на дому. Индивидуальный проект составляется с учетом стиля, цвета и других существенных особенностей кухни. Готовая мебель соответствует всем требованиям клиента, максимальный срок ее изготовления – 2 недели.

3. Доставка мебели. Покупатели избавляются от необходимости искать транспорт.

Заказчику остается только внести 20% от стоимости, остальное выплачивается после подвоза мебели.

Учебное пособие к лабораторным работам по курсу «Материалы электронных средств»

1 МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Постникова В.Н., Кузнецов С.Н., Каширин Ю.В. Учебное пособие к лабораторным работам по курсу «Материалы электронных средств» МОСКВА 2006 г.

2 2 УДК: , Учебное пособие к лабораторным работам по курсу «Материалы электронных средств»,/ В.Н.Постникова, С.Н.Кузнецов, Ю.В.Каширин Ю.В. М.: 5 44 с., 17 ил. Приводится описание лабораторных работ, в которых изучаются основные свойства и параметры диэлектрических, полупроводниковых и магнитных материалов. Содержатся краткие теоретические сведения. Для студентов радиотехнических специальностей. Рецензенты: Беневоленский С.Б., Хаимов В.З.

3 3 ВВЕДЕНИЕ Сборник лабораторных работ предназначен для проведения занятий по курсам «Химия радиоматериалов и элементная база РЭС», «Элементная база и материалы РЭС», «Материалы электронных средств», читаемых студентам радиотехнических специальностей. В основе всех лабораторных работ лежит анализ изменения параметров полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов в зависимости от воздействия на них внешних условий. В каждую лабораторную работу включены сведения о параметрах наиболее важных материалов и их основные характеристики (с ориентацией прежде всего на применение в микроэлектронной аппаратуре). Лабораторные работы в полном объеме выполняются студентами всех радиотехнических специальностей. Целью данных лабораторных занятий является закрепление студентами знаний, о современных материалах радиоэлектронной техники, получаемых на лекциях, ознакомление с методикой измерения их основных параметров и характеристик и приобретение навыков работы с измерительной техникой и справочными материалами. Авторы выражают благодарность Полякову К.А. за помощь при оформлении рукописи сборника.

4 4 Р а б о т а 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. Цель работы: — изучение зависимости удельной электропроводности полупроводникового материала от температуры. Краткие теоретические сведения. Полупроводники по удельному сопротивлению (ρ v = Ом * м) занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. При этом они обладают совокупностью специфических свойств, которые и выделяют их среди других веществ. Для полупроводников характерна сильная зависимость значения удельной проводимости от вида и количества примеси, от величины внешних воздействий света, температуры, облучения ядерными частицами, давления и т.д. Согласно зонной теории твердого тела у полупроводников между валентной зоной и зоной проводимости имеется запрещенная зона. При температуре абсолютного нуля и в отсутствии внешнего воздействия их валентная зона полностью заполнена, а зона проводимости свободна от электронов. К полупроводникам условно относят вещества с шириной запрещенной зоны ΔЕ =0,05 3 эв. Собственными называют полупроводники, не содержащие донорных и акцепторных примесей. Зонная диаграмма таких полупроводников представлена на рис ΔΕ Зона проводимости Запрещенная зона Валентная зона Рис. 1.1 При Т > 0 о, в соответствии с законом Больцмана, валентные электроны могут отрываться от атомов и принимать участие в проводимости полупроводника, т.е. переходить из валентной зоны в зону проводимости через запрещенную зону. С уходом электрона в зону проводимости в валентной зоне полупроводника остается свободным энергетическое состояние, называемое дыркой, а сама валентная зона становится не

Ознакомьтесь так же:  Приказ фсин 342 от 09042018

5 5 полностью заполненной. Таким образом, в результате разрыва ковалентной связи образуется пара свободных носителей заряда электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне, которые и создают собственную электропроводность полупроводника. Энергия, необходимая для разрыва ковалентной связи, определяется шириной запрещенной зоны полупроводника. Для кремния она составляет 1,12 эв. Примесные полупроводники в отличии от собственных, содержат донорные или акцепторные примеси. Если в полупроводник 4-ой группы таблицы Менделеева ввести в качестве примеси элемент 5-ой группы, например мышьяк (As), то атому примеси для завершения ковалентных связей с атомами основного вещества необходимо четыре валентных электрона. Пятый электрон атома примеси связан со своим атомом силой кулоновского взаимодействия. Энергия этой связи невелика (0,01 эв — 0,05 эв). Так как тепловая энергия при 300 о К составляет 0,03 эв, то при комнатной температуре произойдет ионизация примесных атомов. Примесь, имеющую валентных электронов больше, чем необходимо для завершения связей между ближайшими атомами основного вещества, и в результате этого способную отдавать электроны, называют донорной, а полупроводник с такой примесью полупроводником с электронной электропроводностью или полупроводником n-типа. Таким образом, энергетический уровень пятого валентного электрона на зонной диаграмме располагается в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости и называется донорным уровнем (рис. 1.2). Величина ΔЕ д характеризует энергию, необходимую для возбуждения донорных электронов. ΔΕд Зона проводимости Донорный уровень ΔΕ Запрещенная зона Валентная зона Рис. 1.2 Если в полупроводник 4-ой группы таблицы Менделеева ввести в качестве примеси элемент 3-ей группы, например, бор (В), то все три валентных электрона примесного атома будут участвовать в образовании ковалентных связей. При этом одна из четырех связей с ближайшими атомами основного вещества окажется незавершенной.

6 6 Примесь, имеющую валентных электронов меньше, чем это необходимо для завершения связей между ближайшими атомами основного вещества, и вследствие этого способную захватить электроны соседней связи, называют акцепторной, а полупроводник с такой примесью полупроводником с дырочной электропроводностью или полупроводником р-типа. Для того чтобы образовалась свободная дырка, необходима энергия меньшая, чем для разрыва ковалентной связи. Значит, локальные энергетические уровни акцепторной примеси расположены в запрещенной зоне полупроводника вблизи потолка валентной зоны. Таким образом электроны из валентной зоны переходят на акцепторный уровень (Рис. 1.3). При этом в валентной зоне образуется дырка. Положительно заряженный ион (дырка) может заимствовать электрон от любого соседнего атома, что приведет к перемещению дырки по кристаллу. Величина ΔЕ а характеризует энергию, необходимую для образования «свободной» дырки. Зона проводимости ΔΕ Запрещенная зона Акцепторный уровень ΔΕа Валентная зона Рис. 1.3 В таблице 1.1 сведены основные термины используемые в полупроводниковой технологии. Таблица 1.1 Примесь Проводимость Основные носители Полупроводник заряда — Собственная Электроны и дырки Собственный Донорная Электронная Электроны n — типа Акцепторная Дырочная Дырки p — типа Основные параметры полупроводниковых материалов. 1. ΔЕ — ширина запрещенной зоны. Измеряется в электроновольтах и характеризует энергию, необходимую на разрыв связей и освобождения электрона. У существующих полупроводников ΔЕ 1 (2.1), где: C 0 ёмкость конденсатора, между обкладками которого вакуум; C d ёмкость того же конденсатора с диэлектриком. В зависимости от механизма поляризации, ε может принимать значения от нескольких единиц до нескольких десятков тысяч. Наименьшие значения ε имеют неполярные диэлектрики (ε ). 2) tgδ тангенс угла диэлектрических потерь; Диэлектрические потери потери электрической энергии, обусловленные протеканием токов в диэлектриках. Различают ток сквозной проводимости I ск.пр, вызванный наличием в диэлектриках небольшого количества легкоподвижных ионов, и поляризационные токи. При электронной и ионной поляризация поляризационный ток называется током смещения I см, он очень кратковременный и не регистрируется приборами. Токи, связанные с замедленными (релаксационными) видами поляризации, называются токами абсорбции I абс. В общем случае суммарный ток в диэлектрике определяется как I = I абс + Ι ск.пр, (2.2) После установления поляризации суммарный ток будет равен I = I ск.пр. (2.3) Если в постоянном поле поляризационные токи возникают в момент включения и выключения напряжения, и суммарный ток определяется в соответствии с уравнением (2.3), то в переменном поле поляризационные

18 18 токи возникают в момент смены полярности напряжения. Вследствие этого потери в диэлектрике в переменном поле могут быть значительными, особенно если полупериод приложенного напряжения приближается к времени установления поляризации. На рис. 2.4(а) приведена схема, эквивалентная конденсатору с диэлектриком, находящемуся в цепи переменного напряжения. В этой схеме конденсатор с реальным диэлектриком, который обладает потерями, заменен идеальным конденсатором C с параллельно включенным активным сопротивлением R. На рис.2.4(б) приведена векторная диаграмма токов и напряжений для рассматриваемой схемы, где: U напряжения в цепи; I ак активный ток; I р реактивный ток, который опережает по фазе на 90 0 активную составляющую; I Σ — суммарный ток. При этом: I а = I R = U/R (2.4) I р = I C =ωc U (2.5) где: ω круговая частота переменного поля. Рис.2.4а Рис.2.4б Углом диэлектрических потерь называется угол δ, дополняющий до 90 о угол сдвига фаз φ между током I Σ и напряжением U в ёмкостной цепи. Потери в диэлектриках в переменном поле характеризуются тангенсом угла диэлектрических потерь.

19 19 tgδ = I a / I p. (2.6) Предельные значения тангенса угла диэлектрических потерь для высокочастотных диэлектриков не должны превышать 0,0001 0,0004, а для низкочастотных 0,01 0,02. Зная значения tgδ для диэлектрика можно легко определить мощность, рассеиваемую в диэлектрике. Р а = UI a =UI R tgδ= U 2 ωc tgδ (2.7) 3) E пр электрическая прочность; Электрической прочностью называется напряженность однородного внешнего электрического поля, приводящая к образованию в диэлектрике канала, обладающего высокой проводимостью (явлению пробоя диэлектрика). E пр =U пр /d [КB/мм], (2.8) где: U пр киловольтах; пробивное напряжение, измеряемое в вольтах или d толщина диэлектрика, измеряемая в метрах или милллиметрах. 4) ρ v — удельное объёмное сопротивление; Удельное объемное сопротивление представляет собой электрическое сопротивление куба материала с ребром 1 м ρ v = R V S/ L [Oм м] (2.9) где: R V сопротивление материала (Ом); S площадь сечения образца (м 2 ); L длина образца (м). 5) ρ s удельное поверхностное сопротивление; Данный параметр характеризует электрическое сопротивление поверхностного слоя диэлектрика в виде квадрата со стороной в 1 м ρ s = ρ v / d [Oм/ ] (2.10) где: ρ v удельное объёмное сопротивление; d толщина диэлектрика.

Ознакомьтесь так же:  Судебные приставы белгород адрес

20 20 Зависимости ε и tgδ от температуры и частоты. Диэлектрические параметры материалов в различной степени зависят от температуры и частоты. Большое количество диэлектрических материалов не позволяет охватить особенности всех зависимостей от указанных факторов. Поэтому на графиках, приведенных на рис изображены общие тенденции, характерные для некоторых основных групп. Рис.2.5. Рис.2.6. На рис.2.5 приведены типичные зависимости диэлектрической проницаемости от температуры, а на рис.2.6 от частоты, где: 1 неполярные линейные полимеры (электронная поляризация); 2 диэлектрики ионного строения (ионная поляризация); 3 полярные полимеры (дипольная поляризация); 1. С возрастанием температуры объем диэлектрика увеличивается и диэлектрическая проницаемость немного уменьшается. Особенно заметно уменьшение ε в период размягчения и плавления неполярных диэлектриков, когда их объем существенно возрастает. Ввиду высокой частоты обращения электронов на орбитах (порядка Гц) время установления равновесного состояния электронной поляризации очень мало и проницаемость ε неполярных диэлектриков не зависит от частоты поля в обычно используемом диапазоне частот (до Гц). 2. При повышение температуры ослабевают связи между отдельными ионами, что облегчает их взаимодействие под действием внешнего поля и это приводит к увеличению ионной поляризации и диэлектрической проницаемости ε. Ввиду малости времени установления состояния ионной поляризации (порядка Гц, что соответствует собственной частоте колебания ионов в кристаллической решетке) изменение частоты внешнего

21 21 поля в обычных рабочих диапазонах практически не отражается на величине ε в ионных материалов. 3. Диэлектрическая проницаемость полярных диэлектриков сильно зависит от их температуры и частоты внешнего поля. С возрастанием температуры увеличивается подвижность частиц и уменьшается энергия взаимодействия между ними, т.е. облегчается их ориентация под действием внешнего поля возрастает дипольная поляризация и диэлектрическая проницаемость. Однако этот процесс продолжается лишь до определенной температуры. При дальнейшем нагреве кинетическая энергия движения частиц настолько возрастает, что разрушает ориентацию, вызванную внешним полем. При дальнейшем возрастании температуры проницаемость ε уменьшается. Так как ориентация диполей по направлению поля осуществляется в процессе теплового движения и посредством теплового движения, то установление поляризации требует значительного времени. Это время настолько велико, что в переменных полях высокой частоты диполи не успевают ориентироваться по полю, и проницаемость ε падает. Диэлектрические материалы. По составу и свойствам все диэлектрические материалы можно разделить на две большие группы: 1) органические материалы на основе углерода; 2) неорганические материалы на основе оксидов. Представителями первой группы являются полимеры, которые благодаря высокому удельному сопротивлению, низкой стоимости и технологичности завоёвывают всё более прочные позиции среди диэлектрических материалов. Небольшое число неполярных линейных полимеров (полистирол, полиэтилен, полипропилен, фторопласт-4) составляют группу сверхвысокочастотных диэлектриков. Среди них наиболее перспективен фторопласт-4 (- СF 2 -) n, имеющий очень высокое удельное сопротивление (10 18 Ом * м) и низкий tgδ (2*10-4 ) на частотах до Гц. В отличие от других линейных полимеров фторопласт-4 термо- и хладостоек и сохраняет работоспособность в интервале температур от 270 до +300 o C. Остальные неполярные материалы СВЧ-техники имеют сравнительно невысокую температуру размягчения и легко получаются в виде очень тонкой плёнки высокого качества. Эти свойства позволяют широко применять их при производстве конденсаторов.

Учебное пособие к лабораторным работам по материаловедению маи

Янута Г. Г.
Методические указания к лабораторным занятиям по дисциплине «Зоология позвоночных»: для студентов специальности «Биоэкология»
Г. Г. Янута, А. В. Новикова ; рец.: П. Г. Козло, О. В. Прищепчик;Министерство образования Республики Беларусь, Учреждение образования «Международный государственный экологический университет имени А. Д. Сахарова, Факультет экологической медицины, Кафедра биологии человека и экологии. — Минск: [МГЭУ им. А. Д. Сахарова]. — 2012. — 119с.: рис.. — На рус.яз. — Беларусь. — ISBN 978-985-551-064-3
УДК: 59; (076.5)
Ключевые слова: БИОЛОГИЯ ХОРДОВЫЕ СКЕЛЕТ АНАТОМИЯ ЖИВОТНЫХ МОРФОЛОГИЯ ЖИВОТНЫХ 12-52
Аннотация: Представлен теоретический материал и методические указания к проведению лабораторных занятий по курсу «Зоология позвоночных» для студентов специальности «Биоэкология».

Электроника. Методические указания к лабораторным работам: учебно-методическое пособие для студентов очной формы обучения направления подготовки 210400.62 «Радиотехника» и 210700.62 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», специальности 210601.65 «Радиоэлектронные системы и комплексы»
М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. гос. бюджет. образоват. учреждение высш. проф. образования «Ижев. гос. техн. ун-т им. М. Т. Калашникова»;[сост. А. Н. Копысов, А. А. Симушин, А. В. Жидяев]. — Ижевск: Издательство ИжГТУ им. М. Т. Калашникова. — 2014. — 38с.: ил.. — На рус.яз. — Российская Федерация
ГРНТИ: 47
Предметные рубрики: Электроника—Лабораторная практика

Химия нефти. Руководство к лабораторным занятиям : учебное пособие для вузов
И. Н. Дияров [и др.]. — Л.: Химия. — 1990. — 240с.. -(Для высшей школы). — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 5-7245-0511-8
ГРНТИ: 31.21
УДК: 665.6
Предметные рубрики: Химия—нефть

Федотьев Н.П.
Руководство к лабораторным работам по прикладной электрохимии: Учеб.пособие для вузов
Н. П. Федотьев, А. Ф. Алабышев, Тригор. — Л.-М.: Госхимиздат. — 1948. — 214с.. — На рус.яз. — Российская Федерация
УДК: 541.7

Учебное пособие к лабораторным работам по металловедению
Моск. гос. авиац. ин-т (техн. ун-т);[А. Я. Потемкин и др.]; Под ред. О. Х. Фаткуллина. — М.: Изд-во МАИ. — 1994. — 82,[2] с.: ил.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 5-7035-1303-0. — Тираж 1000 экз.
ГРНТИ: 53
УДК: 669.017(076.5)
Предметные рубрики: Металловедение—Практические работы учащихся

Ознакомьтесь так же:  Регистрация ооо центральный

Учебное пособие к лабораторным работам по информатике
Моск. гос. авиац. ин-т (техн. ун-т);[Ф. И. Парамонов и др.]. — М.: Изд-во МАИ. — 1996. — 53 с.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 5-7035-1451-7. — Тираж 500 экз.
ГРНТИ: 50
УДК: 681.322-181.4(076.5)

Учебное пособие к лабораторным работам по авиационному материаловедению: (Неметаллы)
Моск. гос. авиац. ин-т (техн. ун-т);[Вишневский Г. Е. и др.]; Под ред. Г. Е. Вишневского, Е. Н. Задориной. — М.: Изд-во МАИ. — 1996. — 69,[1] с.: ил.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 5-7035-1460-6. — Тираж 1000 экз.
ГРНТИ: 55.47; 55.49; 73.37
УДК: 629.73.002.3(076.5)

Учебно-методическое пособие к лабораторным работам по фациальному анализу: для инженеров специальности 130304 «Геология нефти и газа» и бакалавров направления 130100 «Геология и разведка полезных ископаемых»
Уфим. гос. нефт. техн. ун-т, Каф. геологии и разведки нефт. и газовых месторождений;сост.: М. В. Рыкус, Н. Г. Рыкус. — Уфа: Мир печати. — 2014. — 39с.: ил. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 978-5-9613-0312-4. — Тираж 250экз.
ГРНТИ: 38.15.27
УДК: 551.3(076.5)
Предметные рубрики: Фации (геол.)—Учебники и пособия

Учебно-методическое пособие к лабораторным работам по литологии природных резервуаров углеводородов: для инженеров специальности 130304 «Геология нефти и газа» и бакалавров направления 130100 «Геология и разведка полезных ископаемых»
Уфим. гос. нефт. техн. ун-т, Каф. геологии и разведки нефт. и газовых месторождений;сост.: М. В. Рыкус, Н. Г. Рыкус. — Уфа: Мир печати. — 2014. — 39с.: ил. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 978-5-9613-0313-1. — Тираж 250экз.
ГРНТИ: 38.53.01
УДК: 552.578(076.5)
Предметные рубрики: Коллекторы нефти и газа—Учебники и пособия

Учебно-методическое пособие для самостоятельной подготовки студентов к лабораторным занятиям по курсу фармакогнозии
Пятигор. гос. фармацевт. акад.;[Денисенко О. Н. и др.]; Под ред. В. А. Челомбитько, О. Н. Денисенко. — Пятигорск: ПГФА. — 1995. — 112 с.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — Тираж 500 экз.
ГРНТИ: 76.31
УДК: 615.32(076.5)

Тюрин А.Г.
Руководство к лабораторным работам по химической технологии и моделированию технологических процессов: Ч. 1: Основы химической технологии
А. Г. Тюрин;Челяб. гос. ун-т. — Челябинск: ЧГУ. — 1994. — 78 с.: ил.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 5-230-19928-8. — Тираж 150 экз.
ГРНТИ: 61
УДК: 66.011.001.573(076.5)

Тюрин А.Г.
Руководство к лабораторным работам по химической технологии и моделированию технологических процессов: Учеб. пособие: Ч. 2: Математическое моделирование технологических процессов
А. Г. Тюрин;Челяб. гос. ун-т. — Челябинск: ЧелГУ. — 1994. — 104 с.: ил.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 5-230-19936-9. — Тираж 150 экз.
ГРНТИ: 61
УДК: [66

Триль В.М.
Ботаника: указания и рекомендации к лабораторным занятиям: учебное пособие для студентов фармацевтического факультета
В. М. Триль, В. В. Артемьева;Минобрнауки РФ, Федер. гос. бюджет. учреждение высш. проф. образования «Майкоп. гос. технол. ун-т», Мед. ин-т, Фармацевт. фак.. — Майкоп: Магарин О. Г.. — 2013. — 159 с.: ил., цв. ил., табл.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 978-5-91692-133-5
ГРНТИ: 68.03.03
УДК: 58(075)
Ключевые слова: ботаника учебные пособия рф

Теоретическое и практическое руководство к лабораторным работам по физической химии: учебное пособие для вузов: Ч.1. — Ленинград: Издательство Ленинградского университета. — 1965. — 197с.. — На рус.яз. — Российская Федерация
ГРНТИ: 31
УДК: 541(075)
Предметные рубрики: Химия
Ключевые слова: химическая термодинамика калориметрические исследования методы измерения электропроводности уравнения Киргхофа равновесия в гетерогенных системах

Тематический патентный рубрикатор по лабораторным и технологическим методам исследования минерального сырья
М-во геологии СССР. — Москва: ВИЭМС. — 1979. — 28 с.. — На рус.яз. — Российская Федерация
ГРНТИ: 20.23.15; 53
УДК: 025.49:553.08(088.8)
Предметные рубрики: РУБРИКАТОРЫ ; ПАТЕНТНЫЕ ФОНДЫ ; МИНЕРАЛЬНОЕ СЫРЬЕ ; ЛАБОРАТОРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
Ключевые слова: Методы исследования

Сорокина В.Н.
Руководство к лабораторным занятиям по климатологии и метеорологии
В. Н. Сорокина, Г. В. Суркова. — М.: Географ. фак. МГУ. — 2011. — 180 с.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — ISBN 978-5-89575-201-2. — Тираж 300экз.
ГРНТИ: 37.23; 37.21
УДК: 551.58(076.5); 551.5(076.5)
Предметные рубрики: Климатология—Учебники и пособия ; Метеорология—Учебники и пособия

Соловьев В.А.
Руководство к лабораторным работам по физике: Учеб. пособие
Яхонтова В.Е.. — СПб.. — 1997. — 338 с.: ил.. — На рус.яз. — Российская Федерация. — В надзаг.: С.-Петербург. гос. ун-т. . — ISBN 5-288-01382-9. — Тираж 400 экз.
ГРНТИ: 29.01.33
УДК: 51(076.5)
Предметные рубрики: Физика

Скорбач В.В.
Руководство к лабораторным работам по анатомии и морфологии растений: Учеб.-метод. пособие для вузов по спец. «Биология»
Скорбач В.В.;Белгор. гос. ун-т. — Белгород. — 2002. — 204 с.: ил. — На рус.яз. — Российская Федерация
УДК: 581.4(07); 581.8(07)

Скорбач В.В.
Руководство к лабораторным работам по анатомии и морфологии растений: Учеб.-метод. пособие для студентов вузов по спец. «Биология»
Белгор. гос. ун-т. — Белгород: Изд-во БелГУ. — 2002. — 204 с.: ил. — На рус.яз. — Российская Федерация
ГРНТИ: 68.03.03
УДК: 58(075)
Ключевые слова: ботаника анатомия растений морфология растений лабораторные опыты методические материалы учебные пособия рф

Скорбач В.В.
Руководство к лабораторным работам по анатомии и морфологии растений: учебное пособие для студентов, обучающихся по специальности 011600 Биология и другим биологическим специальностям
Скорбач В.В.;М-во образования Рос. Федерации, Белгор. гос. ун-т. — Белгород: [Изд-во БелГУ]. — 2005. — 203,[1] с.: ил.. — На рус.яз. — Российская Федерация
ГРНТИ: 68.03.03; 68.03.03; 68.03.03; 68.03.03
УДК: 581.4(075); 581.8(075)
Ключевые слова: анатомия растений морфология растений лабораторные опыты методические материалы учебные пособия рф

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *